МОДЕЛИРОВАНИЕ ЭЛЕКТРИЧЕСКИХ СВОЙСТВ ТВЕРДЫХ ГЕТЕРОСТРУКТУР И КЕРАМИКИ НА ОСНОВЕ КАРБИДА КРЕМНИЯ

Аннотация

В настоящей работе рассмотрены методы расчета, анализа и математического моделирования электрических свойств и характеристик структур и керамических полупроводниковых материалов на основе карбида кремния. Сформулированы преимущества метода МДФГ - динамических функций Грина, формул Кубо-Гринвуда и их применение к мезоскопическим и размерным эффектам, андерсоновской локализации носителей, переходам Momma: эффект гигантского усиления диэлектрической проницаемости (SiC-AIN), концентрационная зависимость проводимости (SiC-AIN, SiC-BeO) и др. В целях детального исследования электрических свойств и характеристик полупроводниковых материалов возникает необходимость в изучении особенностей поведения диэлектрической проницаемости в керамических структурах SiC-AlN.