В настоящей работе рассмотрены методы расчета, анализа и математического моделирования электрических свойств и характеристик структур и керамических полупроводниковых материалов на основе карбида кремния. Сформулированы преимущества метода МДФГ - динамических функций Грина, формул Кубо-Гринвуда и их применение к мезоскопическим и размерным эффектам, андерсоновской локализации носителей, переходам Momma: эффект гигантского усиления диэлектрической проницаемости (SiC-AIN), концентрационная зависимость проводимости (SiC-AIN, SiC-BeO) и др. В целях детального исследования электрических свойств и характеристик полупроводниковых материалов возникает необходимость в изучении особенностей поведения диэлектрической проницаемости в керамических структурах SiC-AlN.
In this paper, methods for calculating, analyzing, and mathematical modeling of electrical properties and characteristics of structures and ceramic semiconductor materials based on silicon carbide are considered. The advantages of the MDFG method -dynamic Green functions, Kubo-Greenwood formulas, and their application to mesoscopic and size effects, Anderson carrier localization, Mott transitions are formulated: the giant dielectric constant gain effect (SiC-AIN), the concentration dependence of conductivity (SiC-AIN, SiC- BeO) et al. In order to conduct a detailed study of the electrical properties and characteristics of semiconductor materials, it becomes necessary to study the behavior of the dielectric constant in ceramic jets SiC-AIN textures.
The authors declare that there are no conflicts of interest present.